Dr. Juan

Películas de oxicarburo de silicio para dispositivos electroluminiscentes obtenidas por la técnica HWCVD usando precursores de base orgánica

Dr. Juan Ramón Ramos Serrano

Técnico en Investigación Titular en el área de equipos de plasma del Laboratorio de microelectrónica del INAOE

Resumen:

La fotónica del silicio surge como una alternativa a la electrónica convencional para las comunicaciones digitales, con la cual se pueden transferir datos a distancias más grandes, a mayor velocidad y con un menor consumo de energía. Sin embargo, resulta de vital importancia que estas nuevas tecnologías sean implementadas con procesos compatibles con la infraestructura actual de la tecnología CMOS. El principal reto tecnológico es el desarrollo de fuentes emisoras de luz basadas en silicio, ya que éste presenta una baja eficiencia debido a sus propiedades intrínsecas.  En esta plática se describe la obtención de películas luminiscentes de oxicarburo de silicio (SiO_xC_y) por la técnica de CVD asistido por filamento caliente (HWCVD), destacando el uso de precursores de base orgánica (monometilsilano y tetraetilortosilicato). Las películas se caracterizaron por FTIR, XPS, XRD, PL, EPL y TRPL para determinar el origen de la luminiscencia. Los resultados sugieren que para ambos precursores la luminiscencia es producida por efectos de confinamiento cuántico en nc-Si y defectos en la matriz de SiOC. Se implementaron estructuras electroluminiscentes tipo capacitor MOS. El análisis óptico y eléctrico de las estructuras reveló que los mecanismos de emisión y conducción están relacionados con transiciones en estados intermedios de la banda prohibida.

Biography:

Dr. Juan Ramón Ramos Serrano

Licenciado en electrónica por la Benemérita Universidad Autónoma de Puebla (BUAP) en 2012. En 2015 obtuvo el grado de Maestro en Dispositivos semiconductores en el Instituto de Ciencias de la BUAP. En 2020 obtiene el grado de Doctor en Nanociencias y Nanotecnología en el Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN. En 2021 realizó una estancia posdoctoral en el Instituto de Física “Luis Rivera Terrazas” de la BUAP. Posteriormente, de 2022 a 2024 realizó una estancia posdoctoral en la coordinación de Electrónica del Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica (INAOE). Actualmente se desempeña como Técnico en Investigación Titular en el área de equipos de plasma del Laboratorio de microelectrónica del INAOE. Sus principales líneas de investigación son la obtención películas delgadas y materiales nanoestructurados basados en silicio por las técnicas de CVD y sputtering.